半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）已签署收购法国氮化??（GaN）创新企业Exagan多数股权的并购协议。Exagan的磊晶制程、产品研发和应用经验将拓展并推动意法半导体之车用、工业和消费性功率GaN的研发和业务。Exagan将继续执行现有产品规划，意法半导体则将为其部署产品提供支援。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示，「意法半导体的碳化矽发展布局具备强大的动能，现在我们正扩大对另一种前景看好之复合材料━氮化??的投入，以促进车用、工业和消费性市场客户采用GaN功率产品。收购Exagan的多数股权可强化公司在全球功率半导体市场的领先地位，同时也是我们对於GaN长远规划、生态系统和业务向前迈出的另一步。这是目前与CEA-Leti在法国图尔的开发专案，还有近期宣布与台积电合作专案的另个成果。」

氮化??（GaN）属於宽带隙（Ｗide Bandgap，WBG）材料家族，其中包括碳化矽。GaN基板材料是高频功率电子元产业的一大进步，其效能和功率密度优於矽基电晶体， GaN基板元件节能省电、缩减系统大小。GaN元件适合各种应用，例如，伺服器、电信和工业用功率因数校正和DC/DC转换器；电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器，以及电源适配器等个人电子应用。