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日厂共同研发0.1微米以下DRAM技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年09月21日 星期四

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根据日本报纸报导,NEC、东芝、日立、富士通、三菱电机、松下电器、SONY、夏普、三洋电机、冲电器工业、Rohm等11家日本半导体厂,联合出资750亿日圆(约250亿台币),共同研发0.1微米以下的动态随机存取记忆体(DRAM)技术。

日本报纸指出,750亿日园中的375亿日圆,将由11家半导体制造厂商平均负担;余下的375亿日圆,由11家半导体制造厂,按照个厂的出货比重加权负担。 NEC人员表示,此共同研发0.1微米以下的半导体制造新技术计画,将在五年内完成。半导体业者说,半导体性能及成本取决于积体电路(IC)的线幅宽度,而目前最先进的线幅宽度约在0.1微米以上。欧、美各家大厂已开始研发先进技术,企图研发出0.1微米以下的半导体制造技术,以在未来的竞争中取得领先的地位。

關鍵字: DRAM  NEC  东芝  日立  富士通  三菱电机  松下电器  SONY  夏普  三洋电机  沖電器工業  Rohm 
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