摩托罗拉、飞利浦与意法半导体公司联合推出90奈米 (0.09微米) CMOS 设计平台，从而使得设计人员能够针对低功率、无线、网络、消费性及高速应用系统，展开下一代系统阶级芯片(SoC)产品开发。三家公司联合开发的新型90奈米CMOS设计平台，充分利用了90奈米工艺技术的多重特性和模块化性能。其特别之处，在于设计时可选择多个基于阈值的库元素，并可用于相同的设计模块，从而为平台用户提供极大的灵活性使其性能优化并减少功率耗损。此一功能也利于加速开发应用于高性能低功率敏感的产品芯片。

飞利浦半导体公司首席技术长Theo Claasen先生表示，「此款新型设计平台的推出让我们处在90奈米节点技术的领先地位。这一新技术的应用，让我们为客户提供世界上最先进的、能实现高效制造的CMOS技术。我们的数据库及设计模块IP系列可与第三方IP结合使用，提供前所未有的硅系统方案，让消费者轻松的查询信息、享受娱乐和其他各种服务。」

飞利浦表示，今年年初，摩托罗拉、意法半导体三家公司宣布建立联盟关系，在位于法国Crolles市的最新研究与开发中心，共同开发创新的半导体技术。此次重大的早期技术突破明确表明了联盟的成功。

摩托罗拉半导体产品部技术及制造总经理兼企业副总裁Chris Belden先生表示，「摩托罗拉、飞利浦与ST联盟的强大开发能力及丰富经验带入市场，并证实我们计划今年年底前推出首个采用90奈米技术的300毫米硅方案的可行性。三家公司大量的知识产权资源都投入到联盟计划中。共享库的潜在优势在于比目前更快的产品上市速度，以及为客户带来的强大竞争优势上。」

意法半导体公司副总裁兼中心研究与开发总监Joel Monnier先生表示，「ST的外部客户可立即使用这一新型库平台，事实上，ST的产品开发部集团早已采用该平台用来创建复杂的系统阶级芯片应用要求的独特设计模块。该平台提前供应给设计人员，对三方联盟而言，是一个重要的时刻。证实了我们合作的初步成功，并向市场表明我们致力于引领90奈米CMOS技术的承诺。」

飞利浦表示，全套库平台包括：两个标准的单元库，已经按照一个针对性能进行优化，另一个针对和密度进行优化，提供超过1000个以上可选单元，、密度超过每平方毫米400K门的丰富选择。 支持1.0V或1.2V核心电压源，金属间距0.28μm，6-9个金属电路由层。每个单元库都支持被赋予多个Vt选择变量；备有1.8V、2.5V及3.3V I/O 全套单元；高密度嵌入内存，包括6T-SRAM，可实现（密度达每兆位1.6至1.2平方毫米）的密度，双埠，暂存文件和ROM编译程序；一种完全面兼容的低成本工艺变量，允许高达32MB的嵌入DRAM，密度为每兆位0.5平方毫米。

除了初期提供的上述产品外，后续产品包括SOI (Silicon-on-Insulator) 型版和高性能整合无源设备等都将在短期内上市。目前，一个来回多重项目模板标线服务 (shuttle multi-project reticle service) 已经问市，该服务具有较短的循环周期，大幅降低小批量芯片的NRE费用，进而实现低成本原型制作。90奈米设计平台获得业界流行的CAD工具的全面支持，这些CAD工具来自是由 Cadence、Mentor Graphics及Synopsys联合研发的，透过与它们的借助与各自研究与开发小组集团合作而开发出的设计解决方案来实现支持功能。