全球功率半导体及管理方案厂商–国际整流器公司（IR）在其DirectFET MOSFET系列中加入3项新的20V N信道组件。它们皆经过优化，适用于VRM 10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、高电流DC-DC转换器，应用范围包括高阶桌面计算机及服务器，以至先进电信和数据通讯系统。

IR表示，IRF6623具备更强的控制MOSFET性能，组件通态电阻（RDS(on)） 和闸极电荷（Qg）的乘积减少30%，体积只是市场上其他高性能20V控制MOSFET一半。此外，在4.5V下RDS（on）和Qg的乘积仅为48.4mOhm-nC，Miller电荷（Qgd）为4.0nC，可减少开关损耗。IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg, Qgd 和逆向恢复电荷（QRR）值极低，RDS（on）更较市场上其他高性能20V同步MOSFET改善了30%，在10V下的典型RDS（on）为2.1mOhm（最大为2.7mOhm）。IRF6609专为高电流（33A或以上）的同步MOSFET应用而设计，能够缔造最佳性能。组件的Qg 和Qgd 极低，并具备超低QRR，在10V下的典型RDS（on）为1.6mOhm（最大为2.0mOhm）。