据Digitimes报导，台积电预计2004年7月完成全球首台193奈米浸润式显影（Immersion Lithography）机台装机，将以65奈米制程切入，再向下延伸到45奈米、32奈米制程。台积电资深研发副总蒋尚义表示，该公司浸润式显影技术是在曝光源与晶圆加入水作为波长缩短介质，可微缩到132奈米，远低于157奈米微影机台波长。

该报导指出，台积电在2003年10月订购全球第一台193奈米浸润式显影机台，预计2004年7月可以在12吋晶圆厂装机。蒋尚义表示，目前台积电在65奈米制程开发上已经开发出0.499平方微米SRAM原型，同时预计近期将发表0.296平方微米的45奈米绝缘层上覆硅技术（Silicon-on-Insulator；SOI）制程。

蒋尚义亦指出，台积电计划在90奈米制程以手机芯片最早导入产品线，1伏特到3.3伏特泛用型（general purpose）逻辑制程与低功率（low power）制程，预计2004年第二季底进入试产；在65奈米制程进度上，最早导入开发产品线的亦为低功率导向的手机芯片，预计2005年底导入12吋厂。