台积电3月1日宣布，领先业界推出0.35微米双载子互补式金氧半导体(BiCMOS)制程技术供客户进行产品设计，此项技术为客户的高速、低噪声及低功率的通讯及无线产品提供了极佳的解决方案。

台积电的0.35微米BiCMOS制程技术，系结合双载子(Bipolar)及互补式金氧半导体(CMOS)的优点，其中无论是Bipolar或是CMOS的制程，皆已通过该公司严格的制程规格验证，其中共振频率最大值(fmax)更高达40 GHz（400亿赫）。同时，利用此制程所产出的第一批应用在移动电话产品的芯片，目前已交由客户进行功能验证中。台积电的0.35微米BiCMOS制程技术预计于今年四月起为客户正式生产，欲使用该制程技术的客户目前也可以取得相关制程数据如SPICE模型、设计规格以及电路规格来设计产品。

台积电市场营销副总经理鲍利迈(Mike Pawlik)指出，全球通讯市场正快速成长，若要在高附加价值产品的应用上不断创新，先进的制程不可或缺。台积电此次率先推出0.35微米BiCMOS制程技术供客户进行产品设计，为客户通讯应用产品的发展又再提供了另一个在成本及效能方面都具有优势的技术，更可以满足客户多样化的需求。

台积电的0.35微米BiCMOS制程技术的应用层面涵盖多项通讯及无线产品，此项技术的特点是能提供这些产品所需要使用的更高速、噪声更低及较低功率的特性，包括有：异步传输模式(Asynchronous Transfer Mode, ATM)产品、移动电话、同轴光纤网络(Synchronous Optical Network, SONET)、同轴宽带网络(Synchronous Digital Hierarchy, SDH)、无线电话、区域多点分配系统(Local Multipoint Distribution Services, LMDS)、多点多频道分配系统（MultiChannel MultiPoint Distribution Services, MMDS）以及呼叫器等相关之通讯与无线产品。

台积电将于今年四月在美国举行一年一度的技术研讨会，台积电的0.35微米BiCMOS制程及其相关硅锗(SiGe)制程将是该研讨会介绍的重点之一。台积电美国技术研讨会将于4月23日、4月25日、4月27日及4月30日分别于加州San Jose、德州Austin、麻州Boston以及加州Costa Mesa等地举行。