Epion Corporation为气体团簇离子束（Gas Cluster lon Beam；GCIB）设备开发商，日前与代理商帆宣系统科技合作，推广透过GCIB新的制程技术而开发出来的离子植入仪器－nFusion，功能在于使硅晶圆的掺杂过程（Doping）中，能够摆脱过去以单离子植入的方式混合硅晶圆，透过nFusion能让离子变成离子团，由离子团植入进行混合的优点在于分布较平均，并且可以让混合层更贴近表面，Epion 的市场部副总Wes Skinner表示，因为目前半导体的目标是越来越小，所以混何层也要越来越浅。

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nFusion能让离子呈现植入（infusion）扩散效果，如是单一离子，在植入硅晶圆时，会呈现类似皮球往下丢的状况，来回跳动且不易控制深浅度，而nFusion让离子变成离子团，往下植入时是以扩散的方式，就像球用球袋绑住，能够稳定控制深浅度，并且让离子团只停留在表面。

nFusion以等效180mA的束电流产生能量极低的离子束。与传统离子注入相比，取得10被以上的改进，非常适合低能量注入。透过这种改进可以高吞吐量实现非常高的掺杂剂量，同时仍距表面很近，从而保持在高质量的状况下增加生产效率，掺杂成品率分析显示，所有掺杂剂都留在硅里，没有掺杂祭由于晶圆清洗或外扩散而失去，仅以几瓦的束能产生高效束电流，这点对于避免光致抗蚀剂过热来说，相当重要。

GCIB最早在90年代之前在学界就已受到注目，Epion到2004时才将之引进半导体制程技术。目前台湾是帆宣代理，在推广的过程中，帆宣表示所遭遇到挑战与所有半导体面临新技术的挑战一样，如何整合入目前的生产流程。现在与台湾的晶圆厂之间还在研发试用阶段，尚未得到采纳。