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大陆晶圆厂强力竞争 台湾DRAM业面临考验
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年10月22日 星期三

浏览人次:【1176】

据Digitimes报导,由于日、韩DRAM厂在12吋厂布局策略落差大,以及台湾业者投资12吋厂领先全球,加上大陆晶圆厂中芯及宏力极可能串联DRAM产能,全球DRAM产业不仅既有的竞争局面将发生变化,未来大陆更可能加入竞争。而台湾厂商是否能藉由12吋厂取得战略优势,是业界高度关注的焦点。

该报导指出,全球最大DRAM厂三星电子近来在兴建12吋厂态度上转趋保守,尽管三星在韩国建置了2座12吋厂,但至今季产能仅维持在50万片左右,且其中有30%是用以生产NAND型Flash。此外海力士(Hynix)在12吋厂建置上也明显迟缓,造成整体韩国DRAM产能出现式微,这使得积极投资12吋厂的台湾DRAM业者预估,有机会将全球市占率从既有3成突破至4成。

但台DRAM厂同时也面临日厂尔必达(Elpida)以及大陆厂中芯及宏力在后追赶竞争的隐忧,其中Elpida 12吋厂DRAM产能正快速增加,远超乎韩厂扩产的速度,至于大陆厂更是台厂最大的假想敌。

业者表示,台湾DRAM厂最担心的就是中芯与宏力未来在DRAM产能上进行串联。中芯北京四厂已获得英飞凌DRAM代工订单及制程技术,将于2004年以0.11微米制程投产,五厂则可能在2004年上线,采90奈米制程。至于宏力方面,预估未来3年内产能将不断增加,至2006年月产能可望达到10万片规模,成为上海最大晶圆厂。由中芯及宏力扩厂速度来看,其产能将是台湾DRAM厂最大潜在威胁。

關鍵字: 动态随机存取内存 
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