力晶去年十二月DRAM现货及合约价格持续攀高，使得当月营收达七亿四千万元，并创近半年来新高。力晶表示，因为整体市场供给秩序趋于稳定、下游需求显著提升，DRAM行情后市看好，再加上力晶○．一六五微米微缩制程顺利量产出货，未来营收将有机会继续成长。

动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）厂力晶半导体七日举行新春记者会，针对二○○二年市场布局提出展望报告，力晶总经理蔡国智发下豪语表示，力晶今年产能折算一二八Ｍｂ ＤＲＡＭ产出颗数将达二亿颗，而一厂在三月以○．一五微米新制程量产后，ＤＲＡＭ颗粒产出成本可望降至一．五美元，不过原本预定八吋厂今年底代工比重达七五％目标，则因产能排挤效应而下修为四五％。

针对今年度财务预测，力晶半导体总经理蔡国智则表示，今年度财测正在编列中，但是主要的营收以及获利仍取决于DRAM价格，而力晶能做的，就是尽量增加产出，降低生产成本，估计今年约当一二八兆位SDRAM产出颗粒数将达到一亿九千万颗至二亿颗。估计若一二八兆位SDRAM今年均价维持在三美元至四美元，则力晶今年营收将达到六至八亿美元；较去年成长一○○％至一五○％。

蔡国智表示，力晶八吋厂已开始以既有的○．一八微米设备导入○．一五微米新制程，预估今年二月可以产出第一片具高良率的○．一五微米的八吋晶圆，三月可开始量产二五六Ｍｂ ＤＤＲ。至于已由技术合作伙伴三菱移转的○．一三微米制程，则将应用在已完成厂房工程的十二吋厂，预估第三季末以五千片规模量产二五六Ｍｂ ＤＲＡＭ后，并开始进行○．一一五微米的制程微缩（Shrink）研发，至明年月产能可望提升至一万五千片规模，目标是希望在明年第二季前，力晶十二吋厂制造成本低于同业的八吋厂制造成本。

至于代工部份，蔡国智表示，力晶原本计划今年底将代工比重由现行的二○％提高至七五％以上，不过因ＤＲＡＭ价格持续看好，且客户预订产能超过预期，代工比重将因产能排挤而下修至四五％，由于二○○三年后不以十二吋厂生产的ＤＲＡＭ将不具成本竞争力，因此明年第四季力晶十二吋厂产能拉升至三万片规模后，八吋厂将不再投产标准型ＤＲＡＭ，全数为钰创、晶豪等ＩＣ设计公司代工利基型ＤＲＡＭ、闪存等产品。