英飞凌科技公布业界第一款900V的Superjunction（超级结）MOSFET，专门用于高效能SMPS（交换式电源供应）、工业及再生能源转换。英飞凌推出新型节能CoolMos 900V功率MOSFET家族，突破功率晶体管制造上的"硅限制"，提供使用标准型TO（晶体管管型）封装即具高电压设计的替代方案。Coolmos 900 V系列产品拥有极低静态和动态损耗，协助工程师设计出更高效率、更具成本效益的各种转换器拓扑，应用于液晶电视、太阳能发电系统、计算机大功率（silverbox）电源供应器及照明系统。

英飞凌Coolmos家族功率晶体采用创新技术突破硅晶体物理限制，这种特性在MOSFET半导体提高一倍阻挡电压时，会导致RDS（on）（通态电阻）增加五倍 。在克服硅特性限制上， CoolMos 900V系列各种封装类型皆拥有业界最低RDS（on），TO-247封装的通态电阻为0.12奥姆，TO-220封装0.34奥姆，D-PAK封装1.2奥姆，都比起采传统900V MOSFET同类封装的通态电阻至少低75％。凭借着低RDS（on）系数，新型Coolmos 900 V系列可提供低至34奥姆转换电荷（nanocoulomb）的FOM（优位指数，计算公式为通态电阻乘以闸电荷），提供极低的传导、驱动与转换损耗，从而提高整体效率。