三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器。该公司能够应对逆变器的多样化为xEV提供支持，并为这些车辆的日益普及做出贡献。

标准化功率半导体晶片将延长xEV的行驶里程并降低电力成本。左图为用於 xEV 的 SiC-MOSFET 晶圆；右图为用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片布局。（source：Mitsubishi Electric）

用於xEV的新型 SiC-MOSFET 裸晶片结合专有的晶片结构和制造技术，透过增强xEV的逆变器性能、延长行驶里程和提高能源效率，提升减碳效益。

三菱电机的新型功率半导体晶片是专有的沟槽 SiC-MOSFET，与传统的平面SiC-MOSFET比较之下，功率损耗降低大约50%。由於独特的制造技术，例如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜制程，新晶片实现了长期稳定性，有助於提高逆变器的耐用性和xEV性能。