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IDT AMB先进内存缓冲器芯片导入量产
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2006年03月01日 星期三

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IDT宣布其先进内存缓冲器芯片(advanced memory buffer;AMB)已通过英特尔(Intel)的验证程序,成为业界第一家能够量产供货AMB的厂商,应用于全缓冲双线内存模块(Fully Buffered Dual In-line DIMM;FB-DIMM)解决方案,AMB芯片能有效增加服务器和工作站的速度和记忆容量,强化数据处理能力。整合于FB-DIMM,IDT的AMB芯片负责系统中每一个DIMM的数据缓冲、搜集和传输,为下一代高速服务器及工作站的主要建构区块。

英特尔(Intel)服务器平台事业群营销处总经理Boud Davis表示,目前服务器正积极导入全缓冲双线内存模块(即FB-DIMM)这种技术架构能让服务器及工作站的效能更稳定,并增加内存扩充的弹性,为能顺利完成FB-DIMM架构的转变,必须要有具机动性及多元化的组件供货商来提供这些基础的建构组件才能完成。

關鍵字: 先进内存缓冲器  IDT  微控制器 
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