根据市调机构iSuppli指出，南韩三星电子年底前将把12吋厂的1万片左右月产能，改投高密度NAND闪存（Flash），并将制程由0.12微米微缩至0.11微米。而市场消息认为，三星此举表示该公司对2004年上半年DRAM市况不抱乐观。

工商时报报导，由于近期DRAM市场需求不振，256Mb DDR现货价格已跌破4美元，但NAND闪存仍因市场需求强劲，价格一直维持在高档，同样256Mb的NAND芯片现货价已涨升至十一美元。然因由过去的经历来看，第一季是DRAM市场淡季，不过闪存却是旺季，所以三星便计划再调拨DRAM产能用以生产NAND芯片。

但对于三星大举转拨产能至生产NAND芯片动作，市场分析师认为，主因在于其看坏明年上半年DRAM市况。分析师表示，英飞凌总裁舒马克（Ulrich Schumacher）稍早曾指出，对现在至明年第一季DRAM价格不乐观，现在三星计划增产NAND芯片但缩减DRAM产能，似乎也代表其看淡明年上半年DRAM市况。

该报导亦指出，虽然12吋厂量产DRAM的成本已低于8吋厂，但早在2001年底就建立12吋生产线的三星，2003年的12吋厂布局却较台湾DRAM厂与英飞凌（Infineon）、尔必达（Elpida）等竞争同业缓慢。据了解，三星目前拥有2条12吋晶圆生产线，分别为Fab11-2及Fab12，月产能共约2万7000片。