三星（Samsung）计划将以NAND Flash 取代目前传统用微型硬盘装置，从2006 年下半年开始，便发展以50奈米制程生产制造16 Gb的NAND Flash。三星电子日前表示，采用51奈米制程的16Gb NAND Flash已导入量产，该产品的厚度只有人类头发的二千分之一，而16Gb则是目前量产产品中容量最大者，相较于以55～57奈米制程为主流的其他竞争业者，三星电子在50奈米级制程的产品率先起跑。

而且其51奈米制程的产品，较原有60奈米级的产品，可提高60％左右的生产力，将有助于提高NAND Flash价格，改善三星电子半导体部门的收益。三星电子预估50奈米级NAND Flash明年将成为市场主流，至2010年为止，市场规模累积将达210美元。

据了解，NAND Flash是以Page为单位进行数据的读写，原有的60奈米级的产品是以2KB为基本单位来处理数据，而三星电子51奈米制程16Gb的产品则是以4KB为基本单位来进行数据处理，读写速度较60奈米级NAND Flash快上两倍，若以该产品制作成32 GB的记忆卡时，将有储存DVD级的电影20篇（约32小时），或是MP3档案 8000首、英文报纸200年的份量。

由于目前NAND Flash大多用于数字相机、MP3 随身听、手机与PDA等行动产品，未来随着16Gb NAND Flash推出后，可望进一步取代传统笔记本电脑用的硬盘装置，或是其他行动装置所需的微型硬盘，届时NAND Flash将威胁到2.5吋薄型硬盘的生存空间。