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传制程有缺陷 三星68奈米DDR2芯片遭退货
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年06月22日 星期日

浏览人次:【4559】

有消息指称,继海力士66奈米制程的DRAM生产出现问题后,使用68奈米制程的三星DRAM也在日前传出有技术缺陷,并导致8000万颗1GB的DDR2芯片被客户退货。

据报导,在今年4月时,海力士半导体的66奈米制程因生产良率不高的问题,而导致大批的1GB DDR2晶圆报废。而三星也再日前传出产生同样的问题。消息指出,目前三星已有8000万颗有瑕疵的1GB DDR2芯片被OEM厂商给退回。

对此,已有部分的下游厂商感到忧心,因为如果以较低的价格倾销到市场上,届时将导致市场价格产生剧烈影响。但截至目前为止,三星并未做出正式的声明,也未提出具体的解决方案。

關鍵字: 海力士  三星  动态随机存取内存 
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