外电消息报导，三星电子（Samsung）于周二（10/23）宣布，已开发出全球上第一个使用30奈米制程生产的NAND闪存芯片，能大幅提升现今闪存的储存容量，首款生产的芯片容量为64GB。

据报导，三星在证管会的文件上表示，该款64GB的NAND闪存芯片可用于128GB的记忆卡上，届时仅需一张记忆卡便可储存120小时DVD分辨率的影片。

该NAND芯片采用了三星新创的自排列双成型技术（SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology），透过两次成型的方式，突破晶圆印刷的瓶颈，达到30奈米的制程。三星表示，此技术将大幅提升在现在技术下的制程极限。

三星表示，这款新型NAND将要到2009年才会开始进行生产，只要用来制作128GB的记忆卡，三星也预测，2009年到2011年间，随着行动手持设备、数字相机与MP3播放器的成长，这种新芯片将达到200亿美元的市场。