中国晶圆代工厂华虹半导体宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD制程平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，非常适合於工业控制应用和DC-DC转换器。

第二代0.18微米5V/40V BCD制程平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm2，达到该节点领先水准，可提高产品的驱动能力，减小晶片面积，扩大高压管安全工作区（Safe-Operation-Area, SOA），保证产品的高可靠性。

该制程平台最少光罩层数为18层。该平台提供丰富的可选元件，包括高阻、电容、Zener二极体、肖特基二极体等。

此外，该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse，从而为电源管理晶片提供完善的设计解决方案。目前已完成应用於电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域晶片产品的验证，并成功进入量产。

华虹半导体执行??总裁孔蔚然博士表示，华虹半导体一直将电源管理平台视作研发的重点之一，第二代0.18微米5V/40V BCD量产标志着我们在PMIC领域的核心竞争力再度提升。展??未来，我们还将持续拓展更先进的智慧电源管理平台，为客户提供差异化技术的竞争优势。