据南韩媒体报导，NAND型Flash龙头大厂三星电子（Samsung Electronics）正积极由90奈米制程转入70奈米制程，量产高容量4Gb NAND型Flash，而紧追在后的日本东芝（Toshiba）亦宣布计划于今年夏天导入70奈米制程科技投产8Gb NAND型Flash，两大厂积极以先进制程拉大与其他NAND型Flash后进者的差距。

三星甫于2005年1月初宣布成功导入70奈米制程科技投产4Gb NAND型Flash，不到1个月内又宣布即将自3月开始，量产高容量4Gb NAND型Flash，与90奈米制程相较，导入70奈米制程量产后，可望为三星增加4成左右的NAND型Flash产能。此外三星也积极进行Fab 14厂12吋生产线装机工作，预计自2005年7月将领先全球以12吋晶圆投产NAND型Flash。

三星目前主要以Fab 7与Fab 8作为生产NAND型Flash主力，估计在7月加入12吋厂Fab 14生产NAND Flash，该厂月产能约7000片，预估年底前可达到月产1.5万片水平。三星计划中，自3月初开始量产70奈米制程、4Gb NAND型Flash，预计在7月前，70奈米制程NAND产能可望分占三星所有NAND产能10～15％。

市调机构iSuppli预估2005年全球NAND型Flash市场规模可望首度超越NOR型Flash，再加上全球消费性电子产品包括数字相机（DSC）、MP3、移动电话与PDA等市场需求，持续带动NAND市场成长，三星与东芝两大厂积极往70奈米先进制程迈进，其他竞争对手恐将望尘莫及。