半导体制造商 ROHM（总公司：日本京都市）与 Infineon Technologies AG（总公司：德国诺伊比贝

Infineon 零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer（左）ROHM 常务执行董事 伊野和英（右）

格，以下简称 Infineon）针对建立 SiC 功率元件封装合作机制签署了备忘录。双方对应用於车载充电器、

太阳能发电、储能系统及 AI 资料中心等领域的 SiC 功率元件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率元

件特定封装的第二供应商。今後客户可同时从 ROHM 与 Infineon 采购相容封装的产品，既能灵活满足

客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显着提升客户在设计与采购的便利性。

Infineon 零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：「我们很高兴能够与 ROHM 携手，进一步

加速碳化矽功率元件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中，提供更丰富的选择与更大的灵

活性，同时还有助开发实现低碳社会的高能效应用方案。」

ROHM 常务执行董事 功率元件事业部负责人 伊野和英表示：「ROHM 的使命是为客户提供最隹解

决方案。与 Infineon 的合作将成为我们实现拓展解决方案组合的一大步。我们期待透过此次合作，能够

在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同打造功率电子业界的未来。」

作为此次合作的一部分，ROHM 将采用 Infineon 创新 SiC 顶部散热平台（包括 TOLT、D-DPAK、QDPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装）。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设

计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达二倍。

同时 Infineon 将采用 ROHM 的半桥结构 SiC 模组「DOT-247」，并开发相容封装。这将使 Infineon

新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。ROHM 的 DOT-247 先进封装相比传统

Discrete 元件封装，将可实现更高功率密度与设计自由度。DOT-247 采用将二个 TO-247 封装相连的独特结构，比 TO-247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭藉上述特性，该封装的功率密度达到 TO-247

封装的 2.3 倍。

ROHM 与 Infineon 计画不仅在矽基封装，今後还将在 SiC、GaN 等各封装进一步扩大合作。此举也

将进一步深化双方的合作关系，为客户提供更广泛的解决方案与采购选择。

SiC 功率元件透过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓

越的可靠性与耐用性，同时亦有助应用实现小型化。借助 ROHM 与 Infineon 的 SiC 功率元件，客户可

为电动车充电、可再生能源系统、AI 资料中心等应用开发高效解决方案，实现更高功率密度。