网站Silicon Strategies引述市调机构iSuppli报告指出，过去在不同领域各擅胜场的NAND型与NOR型闪存（Flash），将随着手机发展愈趋先进而在手机市场上正面遭遇竞争，而NOR型芯片的市场地位将遭到NAND型的挑战。但iSuppli亦认为，在较高阶的手机应用市场，将会采取同时使用NAND型和NOR型Flash的做法。

该报导指出，现阶段Flash市场分为两大阵营，一为由英特尔（Intel）、Spansion为首，以NOR型Flash结合SRAM或PSRAM的解决方案供货商；另一派则为以三星（Samsung）、东芝（Toshiba）为首，主打NAND型Flash结合SDRAM的解决方案供货商。幕欠今手机多以NOR型Flash储存程序代码，并由SRAM或PSRAM担任缓冲工作内存。

但当手机技术推进到2.5G或3G时，新一代手机将不仅以通讯为主，尚可能支持MP3播放器、PDA、数字相机等功能，在数据执行、储存需求双双提升的情况下，手机对内存的需求亦有改变，届时NAND型Flash在手机市场，反而会变得相当吃香，相较之下，以手机为杀手级应用领域的NOR型Flash，自然比较吃亏。

但iSuppli仍预测，NAND型和NOR型芯片未来并不会有任何一方寡占市场，因就成本和效能考虑，NAND型和NOR型各有优势。NAND型Flash成本较为低廉，就功能来看，兼具数据和程序代码储存的功能，惟数据转换至SDRAM的速度有延迟（delay）的状况，且能源消耗较多，此为现NAND型Flash在手机市场较不受青睐的原因。