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三星将支出3亿美元扩充DRAM产能
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年02月05日 星期四

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网站Silicon Strategies消息指出,为因应DRAM需求攀升,南韩三星(Samsung)电子2004年度将支出3597亿韩元(约3.07亿美元),用来扩充DRAM产能。分析师认为,三星在致力于Flash市场维持竞争力的同时,也将尽力守住DRAM市场霸主地位,因此有必要持续针对这些重点内存产品加码投资。

三星稍早透露,2004年度资本支出将超越往常水平,达7.92兆韩元,其中,半导体总投资额将达5兆韩元(约41.8亿美元)之上,此间5000~6000亿韩元将作为升级生产线之用,4兆韩元用于设置12吋生产线,另4000~5000亿韩元则拨为Fab 14、Fab 15兴建经费。

三星近1年来考虑到DRAM产品利润遭严重压缩,为维持获利,选择将部份DRAM产能转为生产闪存(Flash),但这并不代表三星打算弃守DRAM市场。

關鍵字: 三星  其他記憶元件 
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