据Digitimes消息，在日前由Semico主办、电子时报与FSA协办的「90奈米及深次微米」研讨会（90nm and Beyond）中，半导体市调机构Semico Research总裁Jim Feldhan预估，0.13微米以下先进晶圆制程产出将在2007年达到40％；而为抢攻先进制程商机，台积电、联电与IBM微电子等大厂皆积极发展相关技术与服务。

IBM微电子则认为，传统硅晶圆（bulk silicon）在先进制程下，将无法突破高处理频率漏电瓶颈，因此65奈米等主流制程将成为绝缘层上覆硅技术（Silicon-on-Insulator；SOI）与英特尔（Intel）等主导的应变硅（Strained Silicon）技术竞逐局面。IBM科技事业群副总裁Bernie Mereyson指出，CMOS制程将面临淘汰局面，SOI可以提供强力集积度（power density）芯片，同时克服硅晶圆漏电问题，将成为下一代制程主流材料。

台积电全球营销副总胡正大则指出，晶圆代工厂在低电介质（low-k）、8吋厂转12吋厂等先进制程学习曲线稳定后，2004年90奈米CMOS制程正处于加温阶段，预估2005年才会逐渐成为全球半导体的主流制程。胡正大表示，高成本是导致设计公司客户提升制程意愿低落的主因，台积电已透过晶圆共承制（Multi-Project Wafer；MPW）以降低客户开发90奈米制程的光罩、晶圆成本。

联电执行长胡国强亦表示，2004年90奈米仍是少数客户采用的制程，而该公司采取积极强化90奈米以下单芯片整合硅智财（IP）的建立；胡国强表示，无线通信与数字娱乐是驱动新一代硅晶圆半导体的主要动力，联电与IC设计客户以Multiple IDM模式，积极建构因应新一代半导体技术所需的IP数据库，以面对单芯片世代。