皇家飞利浦电子集团20日表示，该公司在LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor） 技术上已有重大突破，新一代LDMOS技术可降低3G手机基地台的复杂性和运营成本，同时大幅提升基地台的效能和可靠性。飞利浦新型第四代LDMOS所生产的无线电功率（RF Power）晶体管与传统的LDMOS相较之 下，所增加的效益与效能更高。因此，无线电功率放大器在运作时所需消耗的能量也就更少。这些新型晶体管具备的优异线性功能即使在高功率环境下，也意味着它们能以超低失真质量满足多载波W-CDMA和GSM EDGE基地台的需要。

飞利浦半导体LDMOS无线电功率营销经理Rick Dumont表示，「第4代LDMOS技术的推出，让无线电功率放大器设计人员有更弹性的设计空间，以及更好的管道解决效率和线性折衷这一类困难的问题。这些新设备更以实惠的价位满足电信业者们在W-CDMA效能上的要求，增强我们成为主要LDMOS无线电功率设备的手机基础建设领导供货商的地位。」

飞利浦指出，新型0.6 µm LDMOS技术使无线电功率晶体管的效能推进至另一新的里程碑，其功率密度提高50%，WCDMA效率提升6-8%，功率增益与以前的0.8 µm相比，则提高了2 dB。此外，与传统LDMOS装置相比，这些晶体管采用的多层金属化（double gold metalization）和金属线间连接（gold-gold wirebonding）专利让平均无故障时间（Mean Time To Failure）提高8-10倍的效率，允许设计人员可在结点温度（junction temperature）提高20度的情况下使用。

鉴于W-CDMA功率放大器本身具有的低阶系统效能，这些特性可大量减低功耗和改善3G基地台之散热问题，促使放大器由地面架设朝向天线杆（mast-mounted）架设的趋势发展。飞利浦第四代LDMOS晶体管的优异补偿线性特别适合多载波功率放大器（Multi-Carrier Power Amplifier）和未来的数字预失真（Digital Pre-Distortion）应用。