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旺宏未来Flash产品研发将以自有技术为主
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年10月28日 星期二

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据Digitimes报导,由于目前全球Flash市场需求量不断向上突破,国内存储器业者旺宏未来在Flash研发上将着重在N-bit部份,原因在于Flash必须要拥有自有技术,该公司亦与Renesas签订Flash合作备忘录,双方将合作开发采用0.13微米制程DINOR规格128Mb的Flash,旺宏这部份则将全权主导制造机器设备及制程技术。

该报导引述旺宏总经理吴敏求说法表示,旺宏Flash供货自今年第三季开始,因全球Flash供货吃紧而开始对下游端客户采取配货措施,该公司也正积极加强高阶制程技术研发,希望未来旺宏制造Flash产品时,不再仅能采用0.25微米制程技术,而是要将制程技术拉高至0.15微米制程。

吴敏求指出,旺宏未来的Flash产品研发主力将会锁定在自行研发的N-bit Flash,由于N-bit Flash较适用在短时间的储存功能上,相较于目前市面上较多属于ONE-bit的Flash而言,旺宏N-bit已渐能被市场所接受,未来更将有机会成为NOR型Flash主流规格。

半导体厂商也表示,旺宏之所以要不断自行研发N-bit制造技术,最主要在于当前已没有人愿意技术转移Flash,旺宏唯有靠自行研发,才得以在Flash市场中胜出。过去像是东芝(Toshiba)技转三星电子(Samsung)后,便未再听到有任何半导体厂愿意技转Flash技术,以控制生产厂商的数量。

關鍵字: 旺宏  吴敏求  多次刻录只读存储器 
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