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力晶获Elpida技转0.11微米以下DRAM制程
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年08月26日 星期二

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据工商时报报导,国内DRAM厂力晶大厂半导体日前宣布,该公司已与日本DRAM厂Elpida签订先进堆栈式(Stacked)DRAM制程技术转移合约,预计2004年第二季开始陆续导入新制程,并抢进合约市场。

该报导指出,力晶宣布将陆续取得Elpida之0.11微米、0.1微米、0.09微米等三世代先进堆栈式DRAM制程技术,力晶可透过这项合作由现行的0.13微米世代顺利跨入下一世代制程,持续掌握在DRAM产业的竞争力。而近期DRAM价格回跌,力晶表示该公司8月营收仍可再创新高,9月现货与合约价仍会继续上涨。

力晶表示,Elpida现为日本最大以及唯一的DRAM厂,其在获得英特尔投资后,未来在DDR-II世代产品与技术将具领导地位,所以双方在产能、技术、销售多方面的合作与互惠关系,将可以发挥产业资源互补的效益。

關鍵字: 力晶  动态随机存取内存 
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