据Digitimes报导，台积电近期已将第二代氟化玻璃（FSG）制程良率提高到商业量产程度，由于台积电FSGⅡ在低电介质系数（Low-K）已降到2.5～2.7，而竞争对手IBM仍面临调整FSG制程良率问题，台积电内部表示，FSGⅡ制程已接获数家北美通讯与逻辑IC订单，预计第三季末以0.13微米制程量产。

IBM在Low-K低电介质制程技术原以Silk材质为主，但在0.13微米制程以下面临热膨胀系数（CTE）远高于化学气相沉积（CVD）的碳氧化合物，并容易导致绝缘材料在晶片铜导线上分离，IBM在2003年第一季逐步淡出Silk材质，并将低电介质材料转向FSG。根据台​​湾IC设计业者表示，目前IBM FSG材质良率仍偏低，并以0.15与0.13微米并行调整良率，其低电介质系数仍在3以上。

台积电在低电介质材料上，则直接锁定FSG材质，目前该公司0.13微米以下制程Low-K需求客户采用FSG材质比重超过90％，同时台积电也在Fab 6的0.13微米制程生产线，调整低电介质系数介于2.5～2.7的FSGⅡ材质，包括Agere、Altera等部份客户已导入FSGⅡ材质试产，并陆续获得客户认证通过。

台积电内部表示，IBM微电子事业部对北美无晶圆厂的IC设计公司动作积极，但主要仍集中在0.13微米铝导线制程，在争取低电介质需求的客户方面，IBM仍面临调整良率问题，台积电反而具备提早进入FSG市场，以较高良率与客户认证数量居上风。