大陆晶圆代工业者上海中芯国际日前宣布，该公司以0.18微米制程试产的静态随机存取记忆体（1T-SRAM）已获供应商MoSys的认证；中芯下半年就可在大陆直接提供客户1T-SRAM制程与代工产能，并可望在嵌入式记忆体代工市场，与台积电、联电以及力晶等记忆体厂商竞争。

中芯国际市场及行销中心副总裁宋建迈表示，中芯获得MoSys的1T-SRAM记忆体技术认证，可以使中芯的客户开始采用相关技术生产SRAM产品，中芯也与MoSys合作，为客户提供从设计到生产的完整解决方案，并以MoSys的1TSRAM高密度记忆体结构来生产系统级元件。

由于行动电话、PDA等可携式电子产品整合了多项功能，对内建记忆体容量与资料存取速度要求更高，然因过去含有四至六个电晶体的SRAM晶片尺寸不易缩小，制造成本也过高，所以大部份的手机与PDA业者已开始以相对上成本较低、容量较大、晶片尺寸较小的1T-SRAM为主要应用晶片。 1T-SRAM技术可提供类似传统SRAM，无须更新的介面和任意位址访问周期的高性能，较传统SRAM省电近四倍，成为SoC晶片设计的重要技术。

MoSys是全球1T SRAM的主要授权技术厂商，与台积电、联电有长期合作关系，联电并已经完成MoSys的0.13微米先进制程验证，台积电也在嵌入式记忆体布有重兵，都将针对系统单晶片（ SoC）的代工市场竞争。除晶圆双雄之外，华邦与夏普、茂德与厂柏士半导体（Cypress）亦看好该市场发展性，积极合作开发1T SRAM产品。