日月光半导体日前表示，该公司与台积电已开发0.13微米铜制程低介电常数为介电层材料之焊线封装及覆晶封装技术，并顺利完成台积电0.13微米铜制程低介电常数晶片所采用之高效能焊线封装BGA及覆晶封装FCBGA之认证程序。日月光指出，高速和低耗电量是决定晶片效能的重要因素，当晶线(chip wires)绝缘介质的介电常数值越低，电子讯号的传递速度则越快，而晶片的耗电量相应越低。因此，运用低介电常数的介电材料取代传统的二氧化矽，不仅能够使电子讯号更快速通过晶片内的互连点，加上以铜材料作互连结具备的低阻抗特性，更能显著提升IC的整体效能。

日月光副总经理唐和明表示，「这次与台积电共同研发成功，不但是双方在高阶制程技术上的一大突破，更象征日月光迈入另一个重要的里程碑，因为我们克服铜制程低介电常数晶圆在封装处理上的困难。藉由覆晶封装技术，铜制程低介电常数晶片的I/O焊垫可以分布在整个晶片表面，提供最佳的电路路径并减少讯号电感效应，进一步强化铜制程低介电常数晶片的效能。」

台积电行销副总经理胡正大表示，「透过低介电常数材质的制程，我们将协助客户做到增加晶片效能的同时，并有效降低其耗电量。这次台积电为这个新的制程成功认证日月光的焊线封装和覆晶封装模式，让我们能够为希望藉由低介电常数材质制程来提升晶片的传输速度和耗电量的客户，提供一个从晶片到元件的完整解决方案。」