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12吋晶圆厂陆续量产2003年投资金额达600亿美元
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年01月28日 星期二

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据资策会市场情报中心(MIC)估计,随着英特尔(Intel)、德仪(TI)、台积电、联电、力晶等12吋晶圆厂陆续进入量产,全球12吋晶圆厂投资在2003年将超过600亿美元;而2002年至2007年间,12吋厂投资将达1200~1500亿美元。

据Digitimes报导,资策会MIC半导体组组长尤克熙日前表示,日本Trecenti、台积电与联电位于台南的12吋晶圆厂,陆续在2000年底至2001年初进入量产时代;此外Samsung、 Infineon分别位于南韩与德国的12吋DRAM厂也于2001年底开始量产;2002年3月SONY熊本工厂生产高温多晶矽LCD与CCD Sensor的12吋晶圆厂也进入量产,再加上德仪、英特尔、IBM 、茂德、力晶等亦都陆续进入12吋时代。

尤克熙表示,建立一座12吋晶圆厂的成本约为25至35亿美元,预估全球于2003年底之前,半导体业者在12吋晶圆厂的总投资额,将高达600亿美元以上,而至2007年为止,全球将有超过40座12吋晶圆厂;以一座12吋晶圆厂的平均造价30亿美元计算,2002至2007年全球投资于12吋厂的金额,将高达1200~ 1500亿美元,每年平均将支出180亿美元。

根据MIC统计,未来12吋晶圆厂的兴建用途,将有60%是集中在专业晶圆代工与DRAM事业,而且这些工厂大都集中在亚太地区,包括台积电、联电、特许、茂德、南亚、力晶等,但全球只有少数晶圆厂商可达到60亿美元以上的年营业额,若每一家晶圆厂拥有不只一座的12吋晶圆厂,再计算其它可能投入之资金,包括先进制程技术及其它营运所需要费用等,将拥有难以想像的营运压力。

尤克熙指出,包括铜制程(Cu)、矽锗制程(SiGe)、低介电系数制程(Low-K)、绝缘层上覆矽(SOI)或应变晶片(Strained Silicon)等制程技术,在未来半导体12吋厂将扮演愈来愈重要的角色,90与65奈米技术发展更是下一世代12吋厂商的希望所寄,唯有透过先进制程技术开发,厂商才能在既有需求中,获取最多的订单。以需求面来说,现阶段256MB以上的DRAM、超高速乙太网路晶片、NPU、32位元以上的CPU、系统单晶片组,以及Embedded IC等产品,将成为12吋晶圆厂的主要需求对象。

關鍵字: 英特尔  其他電子邏輯元件 
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