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铜/铝制程并行 铜制程瓶颈未解
明年铜制程设备成长84%?

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年09月24日 星期二

浏览人次:【10828】

随着铜制程发展,根据SiliconStretiges引用The Information Network报告指出,今年半导体铜制程设备市场,将比去年成长27%,明年成长更是高达84%;2001年铜制程设备销售额占全部前端晶圆生产设备比重达10%,预计2002年将成长达14%。然而据了解,目前12吋厂并非如外界以为的全采用铜制程,而是部分使用铝制程的方式进行生产,因此明年铜制程市场是否真能成长八成,就看晶圆厂能否克服现有的铜制程瓶颈。

根据业者表示,采用双嵌刻铜(Dual-damascene)互链接构的130奈米制程,量产时普遍无法良好的可靠性,使得良率无法有效提升;除此之外,芯片通过检测后,经过长时间使用,产品的故障率明显提升。

为解决问题,IBM微电子部门采用变更设计原则,在部分金属层里设计多余的旁通孔,以解决铜制程中的旁通孔问题,但是该设计方法也需面对如测试、分析、设计布局等方面的问题。

關鍵字: 銅製程    双嵌刻铜  旁通孔 
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