TI（德州仪器）今年底计划发表0.4微米硅锗双载子CMOS之BiCom-III制程，该技术用于生产低噪声芯片，其产品速度比BiCMOS制程技术快上二倍。TI今年第三季进入最终验证阶段，年底将把该技术导入8吋晶圆制程，预计将很快可正式量产产品。

本 文：TI（德州仪器）今年底计划发表0.4微米硅锗双载子CMOS（Complementary Oxide-metal Semiconductor；互补式金属氧化半导体）之BiCom-III制程，该技术用于生产低噪声芯片，其产品速度比BiCMOS（Bipolar CMOS；双载子互补式金属氧化半导体）制程技术快上二倍。TI今年第三季进入最终验证阶段，年底将把该技术导入8吋晶圆制程，预计将很快可正式量产产品。

目前为TI提供代工服务为晶圆双雄台积电与联电，TI同时也采用这二家公司的CMOS铜制程。据Aylesworth指出，TI过去约10%的产能都是由代工完成的。目前TI在美国本土达拉斯有一座12吋晶圆厂DMOS 6，2002年年中通过资格认定后，预计将开始创造收入；今年6月时，该产每月产能为5700片晶圆，预计年底将达到每月1万片。

TI今年一月推出14位40 MSPS的CMOS模拟数字转换器ADS5421，专门支持无线通信、医疗图像处理、仪表与光学网络应用。采用小型LQFP-64封装，功率消耗为850mW，并提供省电关机模式，可将功率消耗减少至40Mw。