DDR400内存产品问世，使DRAM规格转换速度有明显加快情况。由于DRAM频率超过400 MHz后，必须改采全新的封装测试技术，业界人士已开始担心，明年DRAM频率再向上突破后，封装测试产能将出现不足情况。

由于英特尔的芯片组市场策略多变，且DRAM需求多来自于既有计算机升级市场，因此，现阶段DRAM市场主流仍以SDRAM为主，不仅DDR最低频率的DDR266仍未成为主流，与DDR400间还有DDR333产品规格存在。DDR400规格尚未得到电子工业联合会议（JEDEC） 采认，包括美光、三星、亿恒等国际大厂，即决定明年下半年起开始出货传输频率达五三三MHz的 DDR-II芯片，因此，DRAM规格转换速度确有明显加快情况。后段封测厂则受资金筹措不易、经济规模不足、新设备价格过高、代工合约价难涨等因素影响，今年几乎没有任何产能扩充计划，因此，今、明二年国内DRAM产业将面临上、下游间产能技术出现落差情势。

由于 JEDEC会议中已做出决议，当DRAM传输频率超过400 MHz时，DRAM封装技术必须由现行的超薄晶粒承载封装(TSOP)转换成芯片尺寸封装(CSP)，因此，DRAM规格转换等于拉动了新旧封装制程的交替。