账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
256Mb DDR与512Mb DDR争霸
高容量市场开打,战况一触即发

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年12月17日 星期一

浏览人次:【666】

动态随机存取内存(DRAM)容量世代交替加速,德国亿恒 (Infineon)指出,今年第四季将全面生产256M DRAM,预计明年初就将导入512Mb以及1Gb 以上的 DRAM 生产。

DRAM容量站上128Mb以后大约维持了近两年的时间,但是在今年第三季因为价格快速下降的因素,许多制造厂商纷纷转向更高容量的产品生产,希望能够避开标准产品的流血战争。南亚科技也开始量产256Mb DDR-DRAM、力晶决定转入生产 256Mb DDR,DRAM高容量市场将开打。

包括南亚科技、力晶半导体等,都转向更高容量、更高效率的产品生产。南亚科技也开始量产256Mb DDR-DRAM、力晶决定转入生产 256Mb DDR,DRAM高容量市场将开打。

转型要生产DDR DRAM的力晶半导体,更是一开始就计划切入256Mb DDR的生产,不在128Mb内存上缠斗,预计明年第一季会有量产产品问世。南亚科技一开始就采用弹性生产制造,与亿恒的技术同步。也就是生产线可以同时生产SDRAM以及倍速传输内存(DDR DRAM),两者的制程有高达80%以上是相同的,只有最后的两道制程不同。

亿恒指出,一般DRAM从投片到产出的时间需要60天,但最近市场上的DDR DRAM以及256Mb SDRAM需求强劲,采用弹性制程,就可以在厂商交货前大约一周的时间,在决定是要做SDRAM或是DDR DRAM,对于避开市场上的流血价格竞争,相当有帮助。

關鍵字: DRAM  动态随机存取内存 
相关新闻
Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度
美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮
美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求
台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品
美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» STM32MP25系列MPU加速边缘AI应用发展 开启嵌入式智慧新时代
» STM32 MCU产品线再添新成员 STM32H7R/S与STM32U0各擅胜场
» STM32WBA系列推动物联网发展 多协定无线连接成效率关键
» 开启边缘智能新时代 ST引领AI开发潮流


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BHCB66BOSTACUKH
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw