钰创科技27日宣布透过台积电十二吋厂0.15微米制程，试产出第一批八Mb超低功率静态随机存取内存(Ultra Low Power SRAM)，预计下半年开始出货，提供美日高阶手机市场使用。而为加强产品线，钰创也推出低阶手机市场使用的二Mb低功率 SRAM，主攻大陆市场。随着两项新产品推出，钰创在低功率 SRAM的产品在线更趋完整。

钰创科技上半年营收12亿4800万元，税前纯益600万元，表现较原财测预估亏损9200万元超前，税后纯益则为3400万元，每股税后纯益可达0.18元。展望下半年，钰创仍会有10到20％的成长幅度，主要是拜新产品推出及开源节流之赐。他表示，下半年低功率SRAM、应用于绘图卡的利基型DRAM出货量逐渐加温，加上五合一LCD控制IC也会开始挹注营收。

因应GPRS及3G手机来临，钰创将于下半年推出八Mb产品已在台积十二吋厂用0.15微米制程试产；而在部份地区低阶手机仍有市场空间者，则推出二Mb产品，尢其中国大陆会是主打市场，预计此产品量会很大，下半年开始营业额会慢慢上升。陈仲羲表示，钰创科技低功率SRAM目前仍以四Mb产品为主力，制程有0.25及0.15微米，目前仍以0.25微米居多，但预计未来一、二季0.15微米会成为主流。

目前钰创的DRAM产品包括64Mb利基型DRAM及1×16MDRAM，目前大量出售的是在世界先进以0.21微米制程生产的产品，预计今年第四季将转换到力晶，以0.18微米制程生产，而世界先进0.21制程将生产其他产品。