DRAM厂自律 延后盖12吋厂

南韩电子新闻消息指出，面对今年DRAM市场大幅衰退的窘境，包括三星电子、美光科技、Hynix半导体、Infineon等DRAM大厂，原先计划将于2001年下半年开始从事兴建12吋厂等新投资计划，将全部延后半年以上。这些国际大厂，目前打算藉由提升制程技术，来降低生产成本。

各大厂目前都认为在供过于求的情况之下，投资兴建12吋晶圆厂，负担太大，所以不仅DRAM大厂延后12吋厂投资至2002年以后，NEC与日立合资的Elpida及台湾DRAM业者，都计划提前导入可提升单位产量逾30％的0.15微米左右制程技术，来取代盖厂等投资。

以三星电子来说，决定至9月底前，将目前的0.17～0.19微米技术，90％以上转变为0.15微米技术；美光科技计划将0.18微米技术，在2001年底前改为0.15微米技术；Hynix半导体决定将下半年投资额集中用在制程升级上，在2001年底前，将近半数生产线转为0.15微米；Infineon计划升级至0.14微米；Elpida与台湾业者则计划在年底前，导入0.15微米以下制程。