台积电13日宣布成功开发出新型的FlashIP编译程序(FlashIP compiler)，协助设计者简易快速地将台积电的嵌入式闪存(Emb Flash)技术整合至其先进的集成电路设计中。此一编译程序系由台积电与Virage Logic合作开发，以Virage Logic之Embed-It!软件为建构基础。

台积电设计服务处处长王一飞表示，该公司开发的新型FlashIP编译程序是一项为客户量身订做的强有力工具，提供设计者以便捷的方式，将闪存整合入系统单芯片(System-on-a-Chip, SoC)之设计。设计者在产品中建构闪存组块时，藉助FlashIP编译程序这项工具之使用，将可获得更高的效率与弹性。

台积电FlashIP编译程序以Virage Logic的两项产品Embed-It! Architect与Integrator为主要基础。针对客户内存产品类型之多样化以及对EmbFlash技术之不同规格需求，台积电弹性地运用Virage Logic所提供之软件，并作适度修改。Embed-It! Architect经重新设计后，可协助设计者建置嵌入式闪存数据库；修改后之Integrator版本则能协助客户快速应用IP，减少支持多种设计流程及系统单芯片应用的时间耗费；此外，Integrator亦可支持包括Virage Logic在内多家公司的内存数据库。

Virage Logic产品营销协理Krishna Balachandran表示，该公司十分高兴能参与台积电这项合作案，在双方密切合作之下，成功开发出FlashIP编译程序。在当今专业晶圆制造服务产业中，嵌入式闪存对先进系统单芯片(SoC)设计的发展极为重要，而台积电与Virage Logic开发出这项独特的FlashIP编译程序，不仅提供设计者一项便捷的工具，同时亦提升内存设计之效率，加速产品进入量产之时程。

台积电表示，EmbFlash制程技术可供设计者应用于不同领域的多项产品，包括MCU、DSP、智能卡(smart card)、行动通讯、汽车、CPLD及其他方面之应用。

EmbFlash技术结合台积电先进的逻辑制程与美商SST 公司的SuperFlash split-gate闪存组件，建构成为一项效能优异且与逻辑兼容的闪存技术。此外，EmbFlash可在同一芯片上整合静态随机存取内存(SRAM)、射频(RF)及模拟功能，提升产品性能。

目前EmbFlash技术已导入台积电0.5微米、0.35 微米及0.25微米制程，并计划于2001年第三季导入0.18微米制程。EmbFlash技术的特点包括闪存面积小及光罩步骤少，并且提供大部份常用的闪存组块，密度范围自4仟位至数兆位，data bus包括8bits、16bits 及32 bits，内存涵盖高效能与低耗电之设计，设计者的选用弹性可小至4 bytes/sector，与EEPROM效能相近。