茂德科技8吋厂、0.17微米制程发生意外事件，1月底栓槽过滤设备发生损坏，第二站点氮气外露影响酒精附着力，导致1.5万片晶圆污染报废，首季损失1,000万颗64Mb动态随机存取内存(DRAM)当量，数量之大创下国内DRAM厂纪录。

茂德总经理陈民良昨(10)日证实，茂德原本预估2月初全数制程转进0.17微米，不料1月20日竹科断电，该公司维修栓槽发现过滤设备(Filter)损坏，丧失原本0.1微米及0.08微米的过滤功能，延滞十天后于电信测试站台侦测到污染晶圆，累计首季8吋晶圆损失1.5万片。

陈民良指出，茂德因为首季损失1,000万颗64Mb DRAM(当量)，使得单季总产出缩为6,100万颗，预计第二季将补回2,000万颗，达8,100万颗水平。据了解茂德原本使用的氟酸(HFO)制剂拉力效果比较小，在准备更换前发生氮气外泄，是杂质大量沉降于晶圆的主要原因。