台积电与美商巨积公司(LSI)4日共同宣布签署一项合作协议，双方将结合力量共同开发半导体尖端制造技术，并以发展0.13微米先进制程为初期合作目标。

根据台积电与LSI所签署的这项合作发展协议，双方将共同发展0.13微米制程技术，其中，LSI将利用台积电的0.13微米制程技术，来支持其客户的系统单芯片(system-on-a-chip; SoC)产品设计，产品将利用二家公司世界级水平的制造能力进行生产。此外，二家公司亦有意共同开发新一代的制程技术，并以超越半导体产业技术蓝图为目标。

LSI全球营运执行副总经理Joe Zelayeta表示，透过这项合作协议，双方优异的先进制程技术，搭配LSI的生产能力，不仅可进一步提升LSI的制程技术，巩固其技术发展脚步，同时LSI将充份运用此一优势，提供更佳的服务予其全球客户。

台积电总经理曾繁城表示，该公司很高兴能与全球系统单芯片领导厂商巨积公司合作，共同发展0.13微米先进制程技术。台积电已于去年十二月为多家客户成功试产出0.13微米制程晶圆产品，而根据台积电与巨积公司之合作协议，双方合作发展之技术，将更进一步延伸台积电的0.13微米核心标准(core)制程，同时台积电也将提供巨积公司更多的先进技术产能。