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旺宏今年下半年量产微缩闪存
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年02月14日 星期三

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旺宏电子总经理吴敏求13日表示,由旺宏主导研发的微缩闪存(Micro Flash)制程,经过PACAND型改良微后,芯片颗粒将比一般NAND型产品小,成本更具竞争力,旺宏下半年将量产。

吴敏求表示,旺宏Micro Flash的制程是自行研发的努力结果,预计第三季将以一厂0.35微米制程投片,明年则转至二厂以0.18微米制造,搭配PACAND、虚空间等技术,成本可大幅降低。

旺宏这项Flash制程采用NOR型架构,适合一般逻辑制程厂商投片,产出芯片颗粒较NAND型Flash小25%以上,极具产竞争优势,下半年除在旺宏一厂投片生产,也会转向海外代工,其中以色列Tower为首选。

關鍵字: 微缩闪存  旺宏電子  吴敏求  多次刻录只读存储器 
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