威盛电子10日宣布正式取得茂硅电子1T-SRAM的专利授权，为新世代的系统单芯片产品，导入超高集积度、高效能及低耗电的先进SRAM技术，并可望广泛应用于日渐蓬勃的因特网装置、信息家电产品线。

相较于传统的SRAM设计，创新的1T-SRAM技术耗用较少的晶体管、便可完成数据储存的动作；同时使用与一般逻辑芯片相同的晶圆生产制程，亦大幅降低高整合度芯片产品的设计与制造难度。另外1T-SRAM更兼具低耗电的特色，且并不需在效能上有所妥协。

威盛电子总经理陈文琦表示，内存的整合将是公司进一步发展单芯片产品时，相当重要的关键与挑战，而茂硅的1T-SRAM技术，正可同时满足市场对于成本及效能的双重需求。藉由1T-SRAM的专利授权，未来威盛将在标准的逻辑芯片中，整合高容量的高效能内存，有效提升产品的功能与竞争力。

茂硅智财权事业部副总裁暨总经理Mark-Eric Jones则指出，威盛近年来的多项创新产品，已经为快速变动的半导体市场做出了卓著的贡献，而在1T-SRAM技术的协助之下，威盛未来将可望于各个新兴的信息应用市场，继续扩展其影响力。