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[COMPUTEX] 扩展176层与1α产品线 美光以制程技术攻城掠地
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2021年06月02日 星期三

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在今日(6/2)的COMPUTEX线上论坛中,记忆体大厂美光科技(Micron)发表了一系列的记忆体新品,分别针对次世代资料中心、汽车、消费终端,以及电竞储存应用需求所设计。这些新品皆是采用美光目前最高阶的176层SSD与1α(1-alpha)DRAM 技术所打造。

美光科发表一系列的记忆体新品

美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra表示,COVID-19改变了人类的生活模式,带了前所未位有对于数据处理的需求。要因应这个挑战,就需要更先进的运算与储存技术,从先进的资料中心到高性能的智慧边缘装置,都将需要更强大的储存与记忆体技术。

针对汽车应用,美光也发表了业界首款符合车用规范(Automotive Qualified)的UFS 3.1介面96 层 NAND 快闪记忆体产品,容量包含128 GB及256 GB两种。 Sanjay Mehrotra强调,UFS 3.1速度比UFS 2.1快上两倍,能让目前资料量庞大的车用资讯娱乐系统和ADAS开机更快,同时延迟更低。此外,UFS 3.1存取效能提高50%,能符合Level 3以上ADAS感测器、相机以及汽车黑盒子即时终端储存(local storage)的需求。

在终端储存应用方面,美光也宣布第一款采用 176层3D NAND技术的PCIe Gen4 SSD产品。新的产品为M.2.介面的Micron 3400与Micron 2450,皆具备高存取效能与低功耗的优势,其中2450 SSD具备三种尺寸,最小的方案仅有22x30mm,但容量高达1TB。能满足讲求高性能又对体积敏感的应用产品。

新系列产品的读取传输量是前一代的两倍,写入则提升85%,满足高规格应用如即时 3D 渲染、电脑辅助设计、游戏和动画等应用所需

在记忆体方面,美光也将扩大采用1α制程的产品线,包含LPDDR4x和DDR4 DRAM。同时也将与宏碁合作,推出更多使用1α制程的终端产品。根据美光的资料,和前一代1z制程LPDDR4x相比,1α制程在记忆体容量方面提高40%,功耗也有达20%的提升。

Sanjay Mehrotra并指出,1α制程的DRAM乃是在台湾在地生产的,生产基地包含了桃园与台中。

關鍵字: DRAM  NAND FLASH  美光 
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