为何说「SRAM下一步是生是死？」因为SRAM除用在高速网通设备外，最大宗的应用是处理器内的高速缓存。然2007年1月AMD向瑞士ISi（Innovative Silicon Inc.）取得Z-RAM技术的授权，Z-RAM是一种密度比DRAM高、速度比DRAM快的内存，但先决条件必须在已使用硅绝缘（SOI）制程的芯片上才能使用，而AMD的CPU几乎都已使用SOI制程，但并自ATI的相关芯片（GPU）则因代工业者为TSMC，因此还未使用SOI。所以AMD向ISi取得Z-RAM技术必是用于CPU内，且很大的可能是做为高速缓存，如果此事成真，未来用的高速缓存就是Z-RAM而非SRAM。

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即便Z-RAM无法比SRAM快，但Z-RAM密度比DRAM高，速度也比DRAM快，一旦做为高速缓存则可「以量取胜」，用较高的容量来增加快取命中率以弥补存取效能，更何况ISi方面宣称Z-RAM效能近似于6T SRAM，因此未来取代SRAM的机会大增，一旦Z-RAM成功取代SRAM，SRAM就几无可立足的应用，等于宣告死亡，同EPROM或其他作古内存般，纯为书上的一页。

更重要的是，Z-RAM的记忆位、记忆格（Cell）仅1T（1个晶体管），比SRAM的4T、6T（4、6个晶体管）省电路空间，同时也省功耗用电，甚至也比DRAM还省，因为DRAM的记忆格为1T1C（1个晶体管＋1个电容），而Z-RAM原理上与DRAM一样是1T1C，但1C部分用的是晶体管与SOI绝缘层间的电容效应，所以真正的电容就省了。

如此看来SRAM似乎没未来了，然偏偏2007年7月IBM宣布发展出频率达6GHz的SRAM，使SRAM最重要的效能价值再度领先各内存，如此CPU内的高速缓存有可能持续以SRAM为首选，而非Z-RAM。

事实上这个宣布算晚，因为在此之前，使用新的65nm制程（之前使用90nm）的Cell处理器，其快取部分就已使用这项技术，因而拥有6GHz的超高速表现，此消息于2007年2月的ISSCC盛会中透露。

6GHz不仅代表高速、高效能，也代表IBM的超强工艺技术，目前仅IBM的POWER6处理器能突破4GHz魔障，而Cell内的6GHz SRAM算是第二个，此同样出自IBM之手。

不过，为了达到6GHz的高速也付出大代价：每个记忆格所耗用的晶体管数从过去的4T、6T增至8T，即是8个晶体管才能记忆1个位，如此电路面积、功耗必然增加。

进一步的，现有CPU内的高速缓存多是用6T SRAM（6T比4T快），未来将有2种走向可能，一是换成Z-RAM，如此速度相近，容量可增6倍，功耗可省6倍；另一是升级成8T SRAM，如此速度可倍增，从3GHz～4GHz间增至6GHz，但容量得减25％，或容量不减改选择功耗增25％，到底那个合算？恐得要仔细权衡舍取了！

最后最令人疑惑的：AMD的CPU所使用的SOI技术主要来自于IBM，而AMD为何未跟进Cell的作法：实行更高速的6GHz SRAM。而是向ISi授权Z-RAM，关于此只能假设未来AMD会在效能取向的CPU上用6GHz SRAM，而在低功耗取向的CPU上用Z-RAM，此假设是否成立有待时间验证。