為何說「SRAM下一步是生是死？」因為SRAM除用在高速網通設備外，最大宗的應用是處理器內的快取記憶體。然2007年1月AMD向瑞士ISi（Innovative Silicon Inc.）取得Z-RAM技術的授權，Z-RAM是一種密度比DRAM高、速度比DRAM快的記憶體，但先決條件必須在已使用矽絕緣（SOI）製程的晶片上才能使用，而AMD的CPU幾乎都已使用SOI製程，但併自ATI的相關晶片（GPU）則因代工業者為TSMC，因此還未使用SOI。所以AMD向ISi取得Z-RAM技術必是用於CPU內，且很大的可能是做為快取記憶體，如果此事成真，未來用的快取記憶體就是Z-RAM而非SRAM。

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即便Z-RAM無法比SRAM快，但Z-RAM密度比DRAM高，速度也比DRAM快，一旦做為快取記憶體則可「以量取勝」，用較高的容量來增加快取命中率以彌補存取效能，更何況ISi方面宣稱Z-RAM效能近似於6T SRAM，因此未來取代SRAM的機會大增，一旦Z-RAM成功取代SRAM，SRAM就幾無可立足的應用，等於宣告死亡，同EPROM或其他作古記憶體般，純為書上的一頁。

更重要的是，Z-RAM的記憶位元、記憶格（Cell）僅1T（1個電晶體），比SRAM的4T、6T（4、6個電晶體）省電路空間，同時也省功耗用電，甚至也比DRAM還省，因為DRAM的記憶格為1T1C（1個電晶體＋1個電容），而Z-RAM原理上與DRAM一樣是1T1C，但1C部分用的是電晶體與SOI絕緣層間的電容效應，所以真正的電容就省了。

如此看來SRAM似乎沒未來了，然偏偏2007年7月IBM宣佈發展出時脈達6GHz的SRAM，使SRAM最重要的效能價值再度領先各記憶體，如此CPU內的快取記憶體有可能持續以SRAM為首選，而非Z-RAM。

事實上這個宣佈算晚，因為在此之前，使用新的65nm製程（之前使用90nm）的Cell處理器，其快取部分就已使用這項技術，因而擁有6GHz的超高速表現，此消息於2007年2月的ISSCC盛會中透露。

6GHz不僅代表高速、高效能，也代表IBM的超強工藝技術，目前僅IBM的POWER6處理器能突破4GHz魔障，而Cell內的6GHz SRAM算是第二個，此同樣出自IBM之手。

不過，為了達到6GHz的高速也付出大代價：每個記憶格所耗用的電晶體數從過去的4T、6T增至8T，即是8個電晶體才能記憶1個位元，如此電路面積、功耗必然增加。

進一步的，現有CPU內的快取記憶體多是用6T SRAM（6T比4T快），未來將有2種走向可能，一是換成Z-RAM，如此速度相近，容量可增6倍，功耗可省6倍；另一是升級成8T SRAM，如此速度可倍增，從3GHz～4GHz間增至6GHz，但容量得減25％，或容量不減改選擇功耗增25％，到底那個合算？恐得要仔細權衡捨取了！

最後最令人疑惑的：AMD的CPU所使用的SOI技術主要來自於IBM，而AMD為何未跟進Cell的作法：採行更高速的6GHz SRAM。而是向ISi授權Z-RAM，關於此只能假設未來AMD會在效能取向的CPU上用6GHz SRAM，而在低功耗取向的CPU上用Z-RAM，此假設是否成立有待時間驗證。