手机和笔记本电脑储存高容量多媒体影音数据的应用机会越来越高，主流非挥发性内存之一的NAND Flash市场空间也越来越广。但由于当前全球经济欲振乏力的阴影挥之不去，市场对短期内NAND Flash及固态硬盘（SSD）的营收规模预估渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。内存大厂正采取逐渐集中合作研发的投资模式，因应未来晴时多云偶阵雨的市场波动。

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短期来看，市场仍保守观望NAND Flash应用于笔记本电脑的发展态势，今年下半年全球景气持续低迷，整体NAND Flash供过于求的压力不减反增，市场状态好坏参半。根据Gartner统计数据显示，去年全球内存产值为581亿美元，今年则可能为550亿美元，衰退5％，不过NAND Flash可成长14％，市场规模将达40亿颗，销售规模约为173亿美元，预估明年可达53亿颗；NAND Flash主要应用快闪记忆卡领域，市场规模正逐渐扩大，预估占整体NAND Flash应用比例47％，也将从数字相机朝向手机领域发展。但另一方面，根据市调机构DRAMeXchange统计数据显示，MP3播放器记忆卡销售量，已从2008年Q1的48％下跌至Q2的17％，且在数字相机、iPod及3G版iPhone为大宗的应用需求未有明显起色、「苹果效应」雷大雨小之际，今年下半年快闪记忆卡的市场也已不再热络。原本众所期待的SSD应用，根据Gartner预估，今年固态硬盘占整体NAND Flash应用比例约只4％左右，规模相对有限，尚未能有效提振近期NAND Flash的颓势。DRAMeXchange并指出，去年NAND Flash芯片价格已重挫58％，今年6～8月又再度下跌36％，平均价格仍呈下滑趋势，未来整体销售额也将进一步缩减。

NAND Flash应用正处于转型关键，市场景气陷于混沌未明阶段。为因应此一态势，Samsung、Toshiba、Hynix、Micron、Intel、Numonyx等正采取相关策略因应，朝向集中研发的投资模式，藉此分摊研发成本、节省专利授权费，降低成本风险面对市场景气波动。Numonyx和Hynix在8月初宣布5年合作计划，共同投资扩大NAND Flash生产线，并进一步研发可突破目前NAND Flash制程瓶颈的取代技术，例如将电荷储存在绝缘体之内的CTF（Charge Trapping Flash）技术。Toshiba和日月光将在日本建立NAND后段封测厂；Toshiba与SanDisk继续提高12吋晶圆厂Fab4产能；Hynix在南韩清州的12吋晶圆厂M11已开始投产；Micron计划在Q4正式量产34奈米的32Gb NAND Flash。因此NAND Flash产业正朝向集中、大型、技术门坎高的趋势发展。根据iSuppli及DRAMeXchange数据显示，Samsung、Toshiba和Hynix三者市占率，依旧维持在83％以上。

从长期来看，NAND Flash仍保有路遥知马力的竞争优势。NAND Flash传输速度快、较耐震、体积小；具备较少Memory Cell面积，Mb单位成本低。多媒体影音数据储存应用仍会维持一定需求量，根据IC Insights预估，2010年每支手机内的NAND Flash容量可达2070Mb。随着各大厂商陆续推出搭配32Gb～64Gb的MP3及PMP产品，影音多媒体储存需求会继续推动NAND Flash的发展。况且以NAND Flash内存芯片作为储存基础的SSD固态硬盘应用，更可进一步带动NAND Flash的成长；低价计算机、UMPC、MID、Mini-Note等正在带动SSD的应用广度。工研院IEK预估2012年SSD占NAND Flash应用比重将达30％，出货量可达8000万颗以上。不同于传统硬盘读写头移动的机械动作，SSD利用电位存取数据，因此具有低耗电、快速、较耐震、稳定度高、耐低温、轻薄无噪音等特性，并可支持PATA、SATA及其他标准或组态接口。Toshiba已量产MLC技术为基础、容量为128Gb的SSD；Micron将大举进军32GB到128GB高容量SSD市场；Samsung将在今年底出货采用MLC技术、高容量256GB的SSD，也将在9月时推出应用于低价计算机的小容量SSD，在读取和写入速度均有进展；Intel也推出容量涵盖32～160Gb、针对NB及服务器应用的SATA SSD。

不过，SSD应用也有局限所在，特定读写区损坏，储存的数据恐将无法救回。工研院在8月底公布SSD性能测试软件平台，运用系统数据管理方法、8信道高速平行读写技术及wear leveling算法，可提升数据稳定度及SSD读写次数，写入次数寿命可提高为20倍以上。但SSD和HDD价差仍约15～60倍左右，采用MLC（Multi-Level-Cell）技术或可降低SSD成本，可是访问速度也会受限。若数据读写时间变长，反复读写次数难以提升，也限制其使用寿命，亦无法满足多媒体数据储存需求。如何兼顾，技术挑战性不低。

此外NAND Flash目前使用的Floating Gate Flash技术，在45奈米制程之后将会面临制程微缩的难题。因为Flash在写入时，是利用电压改变让电荷从基板通过穿遂氧化层（Tunneling Oxide）储存在Floating Gate内，即便在没有电源情况下亦能保存；读取数据时则可分辨Floating Gate内是否存有电荷，如此产生非挥发性记忆的性质。若进入45奈米阶段，Floating Gate因距离过近会产生相互耦合干扰（Coupling Interference），功能便大受影响。因此有的厂商投入像是CTF或黄光微影等延续Flash微缩极限的改良技术；有的则正开发下一世代铁电内存（FeRAM）、磁阻内存（MRAM）和相变化内存（PCM）等。例如Samsung与Hynix在6月底宣布合作共同研发STT-MRAM内存；Toshiba、NEC与Fujitsu已组成STT-MRAM开发联盟，将在2010年前投资30亿日圆研发费用。

NAND Flash市场应用处处有生机，当前景气回温不易，胜利的果实终将掌握在研发资金雄厚、耐心等待契机的大厂手上。重整旗鼓、来日方长，NAND Flash仍将扮演举足轻重角色。