美國國家半導體（NS）為供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器開發了VIP50製程技術，VIP是垂直整合PNP製程技術的簡稱。VIP50製程技術是一種採用絕緣矽（SOI）的BiCMOS製程，其中採用的薄膜電阻不僅可以微調，而且精確度高，因此利用VIP50製程製造的產品無論在電源使用效率、噪訊水準及精確度的表現上都比NS的舊型號IC及許多競爭廠商的產品更好。而系統設計工程師也可利用這種製程技術開發性能更高的燃料噴射、傳送系統、醫療設備與診斷工具。以12MHz單位增益頻寬的放大器產品為例，新的製程比起採用SOT及SC70封裝的主要競爭產品可節省多達九成的耗電量。

《圖一 NS放大器產品技術行銷經理Carlos Sanchez》

NS放大器產品技術行銷經理Carlos Sanchez表示，VIP50製程主要是將電晶體裝設於絕緣矽（SOI）晶片之上，然後以溝槽相互隔離。這種以溝槽隔離的設計可將寄生電容減至最少，並可以大幅提高放大器的頻寬/功率比。這種隔離製程的另一個優點就是即使訊號電壓高於供電電壓，晶片內的電晶體仍可調節有關的訊號。此外，由於絕緣矽可以防止漏電情況的發生，因此即使在工廠或車用IC等極高溫度的環境之下運作，也不會對放大器的性能產生任何不利的影響。
...
...