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是德、新思與Ansys推出台積電4nm RF FinFET製程參考流程
 

【作者: 籃貫銘】   2023年10月05日 星期四

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是德科技、新思科技和宣布,為台積電最先進的4奈米射頻FinFET製程技術TSMC N4P RF,推出全新的參考設計流程。此參考流程基於Synopsys客製化設計系列家族 (Synopsys Custom Design Family),並整合了Ansys多物理平台,為尋求具有更高預測準確度和生產力的開放式射頻設計環境的客戶,提供完整的射頻設計解決方案。


下一代無線系統具有更高的頻寬、更多連接的裝置、較低的延遲和更廣泛的覆蓋範圍。用於無線數據傳輸的射頻整合電路 (如收發器和射頻前端組件) 的設計複雜性不斷增加。較高的電路頻率、較小的特徵尺寸和複雜的版面相依效應使得高速設計物理學具有挑戰性,需要更準確和全面的建模和模擬,以達到最高的效能和穩健的產品可靠度。


台積電4nm射頻 (RF) 設計參考流程在Synopsys Custom Compiler 設計和版面環境中改善了設計迭代時間和版面生產力。參考設計流程的認證包括對台積電的 4 奈米 RF 製程設計套件 (PDK) 進行嚴格驗證,使用關鍵設計組件,包括次 6 GHz 低噪聲放大器 (LNAs) 和 LC 調諧電壓控制振盪器 (LC VCOs)。該參考流程採用了業界領先的工具,可實現高效的被動元件合成、EM 模型提取、考慮熱效應的電遷移分析 (包括裝置金屬),以及具有正確處理電感器電路 (Circuit Under Inductor;CUI) 結構的後版面提取。
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