安森美（onsemi）推出最新的混合訊號控制器，專用於無橋圖騰柱功率因數校正（TP PFC）拓撲結構。NCP1681的目標應用是超高密度離線電源。該新的控制器以適用於350 W設計的NCP1680的成功為基礎，將功率能力擴展到千瓦範圍。

圖一 : 安森美推出新的高功率圖騰柱PFC控制器

在過去，TP PFC設計需要使用MCU，這增加設計的複雜度且需要編碼。現在有了NCP1681，只需添加一些外部元件，不需要編碼就可實現功能齊全的TP PFC方案，從而節省時間、成本和空間。

安森美運算和雲端分部高級副總裁兼總經理Robert Tong談到該新產品發佈時表示：「新的NCP1681將無代碼TP PFC設計的優勢擴展到更高功率。這使我們的客戶能繼續提高他們的設計能效，同時減少設計時間和成本，從而快速向市場提供方案。」

NCP1681可被配置為在固定頻率連續導通模式（CCM）或多模式下工作，控制器在CCM和臨界導通模式（CrM）之間自然轉換，以在各種功率水平下實現最佳性能。

該新的NCP1681高功率TP PFC控制器結合成熟的控制算法和新穎的功能，提供一個高性能和高性價比的TP PFC方案，也可滿足具挑戰性的能效標準，例如 「80Plus 」或 「CoC Tier 2」等要求在廣泛的負載範圍內提供高能效。

該新的NCP1681適用於350 W至數千瓦範圍的更高功率的電源，工作在通用電源輸入（90 - 265 Vac），廣泛適用於包括伺服器、高性能計算、電信、工業和OLED電視等應用。在高壓輸入下，NCP1681 TP PFC方案的能效將達到將近99%。

NCP1681將與獲獎的低功率（<300W）NCP1680一起在APEC 2022上展示，地點在美國德克薩斯州休斯頓的George R. Brown會展中心。

除了TP PFC控制器外，安森美還提供各種SiC MOSFET和隔離門極驅動器，可用於圖騰柱的快速支路。

SiC MOSFET器件具有低導通電阻RDS（on）和緊湊的芯片尺寸，確保低電容和門極電荷（Qg），在縮小的系統尺寸中提供極高能效，從而實現高功率密度。當NCP1681與NCP51561電隔離門極驅動器一起使用時，可實現穩定可靠的設計而不會犧牲開關性能。