根據摩爾定律，電晶體的密度大約每兩年就會倍增，功能與效能攀升、成本則隨之下滑。在過去40多年來，摩爾定律已成為半導體產業的經營圭臬，為了避免微縮過程遭遇物理極限，半導體產業無不致力於研發新的材料。2007年起，45奈米、32奈米製程開始使用高介電金屬閘極（High-K Metal Gate），取代先前的矽煮應變矽晶（SiGe Strained Silicon）。而最新的22奈米製程，就是採用立體三閘電晶體（3-D Tri-Gate transistors），來對抗物理極限。

增加密度秘方：電晶體垂直排列

《圖一　立體三閘電晶體結構圖。 》

一如其名，立體三閘電晶體技術的最大特點，就是將原先的平面閘極改為矽晶薄片，垂直附在矽基板的表面。Intel資深研究院士Mark Bohr表示，傳統平面電晶體只有在頂端處的一個閘極，改成薄片後，則可在頂端之外的兩側各再增置一個閘極。由於電晶體薄片為垂直排列，彼此間的距離得以縮小、藉以提升密度，從根本面破除摩爾定律在2D電晶體不斷微縮所面對的極限。
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