就產品品質和生產環境的清潔度而言，半導體產業是一個要求很高的產業。金屬污染對晶片有害，所以應避免裸晶圓晶片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸矽圓晶片上金屬污染問題的經驗，介紹如何使用互補性測量方法檢測裸矽圓晶片上的少量金屬污染物並找出問題根源，解釋從多個不同的檢測方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測量技術檢測污染物對熱處理的依賴性。

前言

本文旨在解決矽襯底上的污染問題，將討論三種不同的金屬污染。第一個是鎳擴散，又稱為快速擴散物質[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個污點開始擴散的金屬污染。第二個是鉻污染，它是從Bulk體區內部擴散到初始氧化膜[2]，並在晶圓晶片上形成了一層較厚的氧化物。第三個是晶圓片邊緣周圍的不銹鋼污染。本文的研究目的是根據金屬和圖1所示的污染特徵找到污染的根源。
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