在半導體製程進入奈米等級之後，我們一方面要求半導體的線徑不斷縮小，一方面又要不斷提昇IC上電子的遷移率，以提昇晶片的運算能力，但是以目前的製程技術看來，似乎已經慢慢走到極限，而發展SOI（絕緣層上覆矽）製程IC生產用薄膜基板供應商的Soitec，對於可以提昇晶片效能與降低耗電率的SOI製程，有把握可以將摩爾定律在奈米時代繼續延續下去。

SOI技術其實在許多年前就已經被人提出，而由IBM成功將其商業化，Soitec在SOI製程薄膜基板的市佔率超過80％，Soitec資深行銷業務副總裁Michael Wolf表示，利用SOI製程，可以讓晶片效能提昇30％，並降低2～3倍的耗電率，該公司發展的Smart Cut技術甚至已經逐漸成為全球SOI製程的業界標準，目前Soitec生產8吋晶圓的一廠產能年出貨量可達到80萬片，因應12吋晶圓的發展趨勢，明年將進入量產的二廠完全量產後，年產量更可以提昇到200萬片12吋晶圓。

Michael Wolf進一步強調，利用Soitec的Smat Cut技術，該公司提供適合不同應用的產品，包括：薄膜與超薄膜型SOI產品，支援高速、低電壓、低功耗需求產品，如微處理器與無線通訊晶片；厚膜型SOI產品，需求高電壓、高溫環境的光電元件與MEMS/MOEMS元件；SOQ（Silicon On Quartz）晶圓，是細薄的單晶型薄膜，應用在需要高電阻的透明基板。
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